大学职业搜题刷题APP
下载APP
首页
课程
题库模板
Word题库模板
Excel题库模板
PDF题库模板
医考护考模板
答案在末尾模板
答案分章节末尾模板
题库创建教程
创建题库
登录
创建自己的小题库
搜索
刷刷题APP
> 电子空穴
"电子空穴"相关考试题目
1.
光敏二极管中PN结光生电流主要由 电子空穴在外加电场与内电场的作用下的漂移运动形成的。
2.
射出的光子数与注入的电子空穴对数之比称为发光二极管的（）效率。
3.
半导体中可以存在电子空穴的同时导电。
4.
PN结中存在电子空穴对。
5.
自由电子带()电,空穴带()电。电子空穴()出现。
6.
当载流子积累的能量 超过禁带宽度 时可使被碰撞的价带电子跃迁到导带,从而产生一对新的电子空穴对,这就是碰撞电离过程,其主要发生在反偏PN结的( )中
7.
半导体的温度越高，其电子空穴对数量会增加。
8.
电能通过半导体产生电子空穴时，使（）减少、温度下降。
9.
半导体金属都有自由电子空穴。
10.
光照下，PN结附近产生大量电子空穴对，被复合的电子空穴有通过扩散到达内建电场区域。
11.
PIN光电二极管,平均每三个入射光子产生一个电子空穴对,假设所有电子都被收集,则该器件的量子效率为 ________。
12.
本征半导体温度越高,电子空穴对越( )
13.
电离产生的终态离子处于高激发态，位于高能级上的电子将向内层电子空穴跃迁，若以特征射线的形式释放能量，则这一过程被称为（）。
14.
由于本征激发产生的电子空穴对的数目很少,所以本征半导体中载流子浓度很低,其导电能力很弱。
15.
在本征半导体中，自由电子和空穴是成对出现的，称为（ ）。A. 电子空穴对
16.
对于具有自旋极化的费米气体基态( ),存在动量为零且角动量为向上( )的电子空穴对激发。
17.
射出的光子数与注入的电子空穴对数之比称为发光二极管的（）效率。
18.
针对无相互作用费米气体的基态,它不存在动量为零的电子空穴对激发。
19.
半导体金属都有自由电子空穴。
20.
对于具有自旋极化的费米气体基态( ),存在动量为零且角动量为向上( )的电子空穴对激发。
21.
当光子能量hγ大于组成pn半导体的 （文字表达）时，才能激发出电子空穴对
22.
分析快电荷灵敏前置放大器。分别计算电荷和能量变换增益。（ω=3.6ev/电子空穴对，e=1.6×10-19库仑）
23.
PIN光电二极管中，入射的光子大部分在P区部分吸收产生电子空穴对。
24.
()是由于热激励电子空穴对形成的。
25.
无机导电材料载流子可以是电子、电子空穴或离子、离子空穴。
26.
当载流子积累的能量【图片】超过禁带宽度【图片】时可使被碰撞的价带电子跃迁到导带，从而产生一对新的电子空穴对，这就是碰撞电离过程，其主要发生在反偏 PN 结的（ ）中。
27.
半导体和绝缘体的能带结构相似，只是半导体的禁带宽度较小，在外界光、热等作用下，满带中的电子可以跃过禁带到空带中，从而出现了满带中的电子空穴导电和空带中自有电子导电
28.
在光敏电阻的光敏材料中,由于受不同光照会产生不同电子空穴。
29.
由于热激发而在晶体中出现电子空穴对的现象称为（）。
30.
雪崩光电二极管是一种利用较高的偏压加速光子激发出的电子空穴对,碰撞出二次电子空穴对,形成光电流倍增的器件。
31.
半导体激光发光是由（）之间的电子空穴对负荷产生的。
32.
本征半导体掺入199个3价杂质,热运动产生7对电子空穴对,问P型半导体中多子少子各有多少个?
33.
本征半导体的温度越低，电子空穴对越多。
34.
纯净的单晶半导体又称 半导体,其内部载流子自由电子空穴的数量 。
35.
电子空穴对作为准粒子,是
36.
P型半导体晶体中提供电子空穴的元素一般是（）。
37.
当光线投射到MOS电容上时，光子穿过多晶硅电极及SiO2层，进入P型硅衬底，光子的能量被半导体吸收，产生电子空穴对，产生的电子立即被吸引并储存在势阱中。
38.
p-n结太阳电池在稳定的光照下,产生的电子空穴对,在内建电场的作用下,电子“集结”______区,空穴 “集结”到________区,此时电池两级之间的电压是太阳电池的光生电压。
39.
太阳能光伏电池的工作原理是:当太阳光辐射到太阳电池上时,被吸收的光能激发被束缚的高能级状态下的电子,产生 电子空穴对 ,在 PN 结的内建电场作用下, N 区的 向 P 区运动, P 区的 向 N 区运动,使太阳电池的受光面有大量 电荷积累,而在电池的背光面有大量 电荷积累,若在电池两端接上负载,负载上就有电流通过,当光线一直照射时,负载上将源源不断地有电流流过。
40.
半导体金属都有自由电子空穴。
41.
热激发是表示由于半导体在温度升高或受到光照的情况下而产生自由电子空穴对的现象。
42.
本征半导体中的电子空穴对是由( )的作用产生。
43.
当PN结及附近被光照时，若光子能量大于材料禁带宽度将会产生电子空穴对，在内电场作用下，电子、空穴分别漂移到（）和（），使P端电势（）N端电势（），以下正确的是（）
44.
由于正离子缺位,使负离子过剩的n型半导体,随着氧分压的增大,电子空穴浓度减小,电导率也相应增大。
45.
光信号（光束）入射到半导体材料后，如何产生电子空穴对？
46.
pn结的空间电荷区中产生了电子空穴对后将固定在该区域内。
47.
一对电子空穴对(一个电子+一个空穴)的总角动量的可能取值包括
48.
当入射光能量高于禁带宽度时，价带电子受激发跃迁至导带，同时在价带上产生相应的空穴，形成电子空穴对。（）
49.
电子空穴液滴的主要特性包括哪些？
50.
当载流子积累的能量ΔE超过禁带宽度Eg时可使被碰撞的价带电子跃迁到导带,从而产生一对新的电子空穴对,这就是碰撞电离过程,其主要发生在反偏 PN 结的( )中。
