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> 衬底
"衬底"相关考试题目
1.
NMOS器件的衬底是（）型半导体。
2.
外延就是在单晶衬底上淀积一层薄的单晶层，即外延层。
3.
VPE制备n+/p-Si，结果pn结进入了衬底，这是什么原因造成的：
4.
向NPN管的衬底中掺金,可以
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衬底的材料有()和()
6.
N沟道MOSFET是在（）型衬底上制作的。
7.
提高衬底掺杂浓度,能够有效避免 漏 - 衬底 pn 结雪崩击穿。
8.
[名词解释] 衬底色设计
9.
外延就是在单晶衬底上淀积一层薄的单晶层，即外延层。
10.
P阱工艺的衬底是____衬底,_______管做在P阱里。
11.
根据向衬底输送原子的方式可以把外延分为：（）、（）、（）。
12.
n型MOSFET器件制作在什么衬底上？
13.
衬底为 P 型硅片的 MOS 管就是 P 沟道 MOS 管
14.
简述衬底PNP的特点
15.
集成电路是在( )衬底上制作而成的。
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MOSFET 是四端器件,通常 CMOS 电路中应用的 NMOS 管是增强型, PMOS 管是( )型; NMOS 管的衬底接( ), PMOS 管的 衬底 接( )。
17.
常用的蓝宝石衬底有哪些？各有什么特点？
18.
将PDMS用作复眼相机的衬底，其作用是 ？
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外延时要求衬底必须是单晶的。
20.
压花用的衬底材料可以是()。
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以P型硅衬底制作的集成电路中,PMOS管的衬底一般接()。
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N沟道JFET制作在N衬底上。
23.
道路交通标志的衬底色不会是（）。
24.
如果MOS管的衬底在管内不与源极预先接在一起，则 之间可以互换。
25.
外延就是在单晶衬底上淀积一层薄的单晶层，即外延层。
26.
衬底色设计
27.
衬底为N型硅片的MOS管就是N沟道MOS场效应管。
28.
禁止标志牌的衬底为（ ）。
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N沟道MOSFET制作在P衬底上。
30.
衬底设计的方法有( )
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泡罩包装对衬底的要求？
32.
气相外延制备n+/p-Si时,结果pn结进入了衬底,这是什么原因造成的()
33.
NMOS 器件的衬底是 ( ) 型半导体
34.
外延就是在单晶衬底上淀积一层薄的单晶层，分为同质外延和异质外延两大类。
35.
N沟道MOSFET制作在N衬底上。
36.
衬底在完成涂覆粘附剂后应该尽快涂胶。
37.
源极及衬底接地时，MOS管栅极（）。
38.
N阱CMOS工艺的衬底是_____衬底,衬底上面直接做_______管
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NMOS管的衬底是
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阱中MOSFET的衬底常接源极S
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以布质衬底制作的压花艺术品可以选用哪些保护材料?
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什么是硅片，什么是衬底，什么是芯片？
43.
在 CMOS反相器中,NMOS的衬底和源级均接地。
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外延就是在单晶衬底上淀积一层薄的单晶层，分为同质外延和异质外延两大类。
45.
氮化硅钝化原理是薄膜中的（）对衬底硅中的杂质和缺陷钝化。
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常用的衬底材料有哪些?
47.
衬底的掺杂浓度越大, MOS 管的阈值电压( )。
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外延就是在单晶衬底上淀积一层薄的单晶层,即外延层。
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衬底的主要作用是 。
50.
源极及衬底接地时，MOS管栅极（）。
