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> 反向击穿电压
"反向击穿电压"相关考试题目
1.
二极管最大工作电压()反向击穿电压。
2.
与普通二极管相比，稳压二极管的反向击穿电压().
3.
如图电源+50V，发光二极管正向压降为+2.0V，反向击穿电压Ubr = -30V，请问电阻上的压降是（TP1对地电压）：
4.
正常使用时，晶闸管上加的反向电压要远离反向击穿电压。
5.
某电路二极管的反向工作电压约为20V，则选择反向击穿电压为25V的二极管比较合理
6.
发光二极管的工作电压(即开启电压)比普通二级管____,约____。反向击穿电压一般比普通二级管____,约____左右。
7.
已知图中二极管的反向击穿电压为 100V ,测得I=1 A。当 R 从 10kΩ 减小至 5kΩ 时, I 将 ____ 。
8.
某二极管反向击穿电压为150V，则其最高反向工作电压 。
9.
桥式整流电路的二极管的最大反向击穿电压应大于_倍的交流输入电压
10.
三端稳压管是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件。稳压管（）时，在一定的电流范围内，端电压几乎不变，表现出稳压特性，因而广泛应用于稳压电源与限幅电路之中。
11.
二极管反向工作电压比反向击穿电压()。
12.
随着温度升高而随之提高的三极管的极限参数是（）①电流放大系数②集电极最大允许电流ICM③集电极最大允许耗散功率PCM④集电极-发射极间的反向击穿电压U（BR）CEO⑤集电极-基极间的反向击穿电压U（BR）CBO
13.
在如图所示电路中,已知二极管的反向击穿电压为20V,当V1=5V、温度为20℃时,I=2μA。若电源电压由5V增大到10V,则电路中的电流 I 约为()
14.
晶体二极管的伏安特性曲线由正向特性、反向特性、反向击穿电压三部分组成。
15.
已知图中二极管的反向击穿电压为100V，测得。当R从10kΩ 减小至5kΩ 时，I将____。
16.
二极管最高反向电压为100V，则二极管的反向击穿电压通常应选为()。
17.
选用的消弧回路所用的反向二极管，其反向击穿电压不宜低于（）。
18.
连接在电路中的二极管，当温度升高时，二极管的正向漏电流和反向击穿电压分别会()。
19.
晶闸管的反向重复峰值电压应大于它的反向击穿电压的80%。
20.
二极管的最高反向工作电压一定（）二极管的反向击穿电压。
21.
二极管的最大反向工作电压是 100V ,它的反向击穿电压约为 。
22.
当反向电压小于反向击穿电压时，二极管的反向电流很小;当反向电压大于反向击穿电压后，其反向电流迅速增加。 ()
23.
二极管的最大反向工作电压是100V它的反向击穿电压约为()
24.
晶闸管反向阻峰值电压规定比反向击穿电压小（）。
25.
反向工作电压UR是指二极管击穿时的电压值。反向击穿电压UBR:是指二极管在使用时所允许加的最大反向电压。
26.
与普通晶闸管一样,逆导晶闸管的反向击穿电压远高于晶闸管工作回路电源电压峰值。
27.
最高反向工作电压指二极管长期工作时，允许加到二极管两端的最高反向电压，一般就取反向击穿电压。（）
28.
设稳压管VDZ的稳定电压为6V，正向压降为0.7V；二极管VD1为硅二极管，正向压降为0.7V，反向击穿电压为100V。则电路的UO为______。【图片】
29.
(18.10)1.某硅二极管反向击穿电压为120V,则其最高反向工作电压
30.
允许重复加在管子上的反向峰值电压为反向重复峰值电压,用URRM表示。它是由伏安特性中的反向击穿电压URO减去一定裕量,成为晶闸管的反向不重复峰值电压URSM,然后再乘以90%而得到的。
31.
当二极管外加反向电压超过一定数值后，反向电流突然（），此称为二极管反向击穿，这时所对应的电压称为反向击穿电压。
32.
二极管的最高反向工作电压（峰值）就是二极管反向击穿电压值。
33.
二极管的最高反向工作电压，一般为反向击穿电压的（）.
34.
随着转速变化，当发电机输出电压高于调整值时，UAB升至VS反向击穿电压，下面哪项不是切断励磁电路，使发电机输出电压下降的状态
35.
晶闸管反向重复峰值电压（有称反向阻断峰值电压）规定比反向击穿电压小（）V。
36.
加在VD上的反向偏置电压应小于其反向击穿电压
37.
一般规定二极管的反向工作电压为反向击穿电压的4／5。
38.
选用的消弧回路所用的反向二极管，其反向击穿电压不宜低于（ ）。
39.
232.PN结反向击穿电压的数值增大，小于击穿电压，（ ）。
40.
一个硅二极管反向击穿电压为 150 伏,则其最高反向工作电压为( )
41.
当温度升高时,二极管的正向电压 ,反向击穿电压 ,反向电流 。
42.
电路如图所示,已知二极管D是一个齐纳二极管,反向击穿电压是6V,电阻R=300Ω。 则 Us = 9V 时,ab之间的电压 Uab = ( 1 )V,流过电阻R的电流是( 2 )mA; Us = 7V 时,ab之间的电压 Uab = ( 3 )V; Us = 5V 时,ab之间的电压 Uab = ( 4 )V;
43.
已知图中二极管的反向击穿电压为100V,测得I=1mA 。 1.当R从10 减小至5 时,I将____。 2.保持V和R不变,温度下降10°C,I将____。
44.
当二极管外加反向电压在反向击穿电压以内范围变动时，反向电流（）。
45.
大都数功率型发光二极管的反向击穿电压为 。
46.
某二极管反向击穿电压为150V,则其最高反向工作电压为
47.
最高反向工作电压一般取反向击穿电压的( )。
48.
当半导体二极管的反向击穿电压大于6V，主要发生何种击穿现象?（）
49.
外加电压大于反向击穿电压二极管被击穿,失去单向导电性
50.
一般取反向击穿电压的（）数值作为二极管最高反向工作电压。
