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> 反型区
"反型区"相关考试题目
1.
p型的MOS结构半导体表面处于反型区时，空间电荷是 的，为 （ ）。
2.
MOSFET器件的阈值电压实际上是栅极MOS电容强反型区的起点。（ ）
3.
高频MIS的C-V曲线与低频C-V曲线的分叉点出现在弱反型区。
4.
MOS电容的工作状态包括积累区、平带、耗尽区、反型区等。（ ）
5.
MOS结构半导体表面处于反型区时，表面电荷的改变主要依靠的是漂移与扩散运动（）。
