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> 金属氧化物半导体
"金属氧化物半导体"相关考试题目
1.
由金属氧化物半导体场效应管构成的集成电路简称()电路。
2.
绝缘栅场效应管 又叫金属 - 氧化物 - 半导体场效应管( MOS-FET ) , 简称( )管。
3.
用金属氧化物半导体材料制成的温度传感器是（ ）。
4.
MOS是金属－氧化物－半导体场效应管的英文缩写。( )
5.
[名词解释] 互补金属氧化物半导体
6.
名词解释:互补金属氧化物半导体的英文缩写是 。
7.
金属氧化物半导体场效应管简称( )。
8.
绝缘栅金属-氧化物-半导体场效应管,简称 管 。
9.
互补金属氧化物半导体随机存储器
10.
BIOS是互补金属氧化物半导体，CMOS是基本输入输出系统。（）
11.
[名词解释] 互补金属氧化物半导体随机存储器
12.
互补金属氧化物半导体的缩写是 。
13.
绝缘栅金属-氧化物-半导体场效应管(简称MOSFET)其特点有 。
14.
压敏电阻是一种以氧化锌ZnO为主要成份的金属氧化物半导体线性电阻。
15.
下列哪一极属于金属-氧化物-半导体的结构?( )
16.
互补金属氧化物半导体
17.
压敏电阻是一种以氧化锌ZnO为主要成份的金属氧化物半导体（）。
18.
被称为互补金属氧化物半导体的是（）
19.
金属氧化物半导体场效应管包含（）。
20.
互补金属氧化物半导体的英文单词缩写是?
21.
MOS的英文全称是Metal-Oxide-Semiconductor,即金属-氧化物-半导体
22.
由金属氧化物半导体场效应管构成的集成电路称CMOS电路。()
23.
MOSFET是金属-氧化物-半导体-场效应管的英文首字母缩写
24.
CMOS是互补金属氧化物半导体（Complementary Metal Oxide Semiconductor）的简写。（ ）
25.
压敏电阻是一种以氧化锌ZnO为主要成份的金属氧化物半导体（）。
26.
双极型半导体存储芯片通常比金属氧化物半导体存储芯片存取速度快，但价格也贵。
27.
金属氧化物半导体场效应管的缩写是( )。
28.
TTL电路指的是（）、CMOS电路指的是互补金属氧化物半导体逻辑电路。
29.
双极性半导体存储芯片通常比金属氧化物半导体存储芯片存取速度快,但价格也贵。
30.
金属氧化物半导体式气体传感器的原理是()
31.
CMOS的英文是Complementary Metal Oxide Semiconductor,意思是互补型金属氧化物半导体
