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【简答题】
光照1Ω∙cm的n型硅样品，均匀产生非平衡载流子，电子-空穴对产生率为1017cm-3∙s-1。设样品的寿命为10us，表面符合速度为100cm/s。试计算：
单位时间单位表面积在表面复合的空穴数。
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举一反三
【单选题】光照前半导体硅的电子浓度为 1.5x10 14 cm -3 ,空穴浓度1.5x10 6 cm -3 ,光照产生的非平衡载流子浓度为1.5x10 10 cm -3 ,则电子和空穴准费米能级的差为:
A.
0.12eV
B.
0.24eV
C.
0.36eV
D.
0.48eV
【多选题】关于非平衡载流子的说法，正确的有：
A.
一般情况，注入的非平衡载流子浓度比平衡的多数载流子浓度小很多。
B.
小注入的情况下，非平衡少子的浓度还是可以比平衡少数载流子浓度大很多。
C.
非平衡少数载流子起重要作用。
D.
非平衡多数载流子起重要作用。
【单选题】一块半导体寿命τ=15µs，光照在材料中会产生非平衡载流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡载流子将衰减到原来的（）。
A.
1/4；
B.
1/e；
C.
1/e2；
D.
1/2
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A.
0.12eV
B.
0.24eV
C.
0.36eV
D.
0.48eV
【多选题】关于非平衡载流子的说法，正确的有：
A.
一般情况，注入的非平衡载流子浓度比平衡的多数载流子浓度小很多。
B.
小注入的情况下，非平衡少子的浓度还是可以比平衡少数载流子浓度大很多。
C.
非平衡少数载流子起重要作用。
D.
非平衡多数载流子起重要作用。
【单选题】一块半导体寿命τ=15µs，光照在材料中会产生非平衡载流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡载流子将衰减到原来的（）。
A.
1/4；
B.
1/e；
C.
1/e2；
D.
1/2
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